BERLIN / LONDON (IT BOLTWISE) – NextGO Epi aus Berlin hat nur eine Woche nach der Vorstellung von „European Chips Act 2.0“ eine Pre-Seed-Runde über 2 Millionen Euro abgeschlossen. Das Startup treibt die Entwicklung und industrielle Produktion von Galliumoxid-Epitaxiewafern voran, die als Basis für die nächste Generation der Leistungselektronik gelten. Mit dem Kapital will das Team die Produktentwicklung beschleunigen, das Wachstum im Engineering absichern und den internationalen Vertrieb ausbauen. Damit positioniert sich das Unternehmen in einer europäischen Lieferkette, die Abhängigkeiten von asiatischen und US-amerikanischen Halbleiterlieferanten reduzieren soll.
NextGO Epi zieht 2 Millionen Euro Pre-Seed-Finanzierung ein und macht damit die nächste Phase seiner Galliumoxid-Wafer-Story konkret. Das Berliner DeepTech-Startup berichtet, dass die Finanzierung innerhalb einer Woche nach der Vorstellung des „European Chips Act 2.0“ zustande kam. Für Unternehmen in der Energie- und Mobilitätsinfrastruktur ist das Timing mehr als nur ein PR-Moment: Leistungselektronik entscheidet über Effizienz, Lebensdauer und Kosten ganzer Systeme, vom Wechselrichter bis zur Schnellladestation. In der Praxis braucht es dafür genau die Bauteile, die bislang bei neuen Materialsystemen oft noch im Übergang zwischen Labor und Fertigung hängen bleiben.
Technisch betrachtet richtet NextGO Epi den Fokus auf Galliumoxid (Ga2O3) und insbesondere auf Epitaxiewafer, die als Ausgangspunkt für Bauelemente dienen. Epitaxie beschreibt dabei das kontrollierte Aufwachsen einer kristallinen Schicht auf einem Substrat, um Defekte, Dotierung und Kristallgüte so einzustellen, dass die späteren Transistoren und Dioden zuverlässig arbeiten. Laut Unternehmensangaben produziert NextGO Epi derzeit als einziges Unternehmen in Europa Galliumoxid-Epitaxiewafer in industrieller Qualität bis zu einer Größe von vier Zoll. Damit wird ein Engpass adressiert: Sobald Wafer skalieren, können Prozessketten für Package, Zuverlässigkeitstests und Rückverfolgbarkeit wirtschaftlich werden.
Der Markt konvergiert derzeit um zwei Dinge: höhere Spannungsfestigkeit und bessere Fertigbarkeit. Galliumoxid gilt als vielversprechender Kandidat für Leistungshalbleiter, weil Bauteile im Vergleich zu heute weit verbreiteten Materialien wie Siliziumkarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN) höhere Spannungen verarbeiten können und gleichzeitig effizienter arbeiten sollen. Unternehmen und Systembauer erwarten daraus konkreten Nutzen: NextGO Epi nennt als mögliches Szenario, dass Ladezeiten von Elektrofahrzeugen von etwa einer Stunde auf rund zehn Minuten sinken könnten. Parallel plant das Startup, die Kosten für Leistungshalbleiter durch den Einsatz des neuen Werkstoffs um bis zu 75 Prozent zu reduzieren. Solche Zahlen sind ambitioniert, aber sie zeigen die Zielrichtung gegenüber etablierten Playern und deren Kostensenkungshebeln.
Historisch ist das Thema Materialreife bei neuen Halbleitern selten ein gerader Weg. Während SiC- und GaN-Wertschöpfungsketten in den letzten Jahren stark ausgebaut wurden, steckt Ga2O3 im Vergleich vielerorts noch in der Industrialisierungsphase: Waferqualität, Defektmanagement, Prozessfenster und Skalierung sind über Jahre hinweg ein Lernprozess. NextGO Epi positioniert sich hier bewusst als Brücke „vom Forschungslabor in den Markt“. Das Team wurde von Dr. Ta-Shun Chou, Dr. Andreas Popp und Dr. Andreas Fiedler gegründet und bringt nach eigenen Angaben mehr als zehn Jahre Forschungserfahrung sowie zwei internationale Patente und über 30 wissenschaftliche Publikationen mit. Unterstützt wird der industrielle Ausbau laut Bericht durch Dr. Jochen Linck, dem ehemaligen COO von Aixtron, wodurch Know-how aus der Ausrüstungs- und Fertigungswelt in das Startup fließt.
In der Wettbewerbslandschaft muss NextGO Epi gegen mehrere Kategorien bestehen: gegen etablierte Materialanbieter, gegen Produktionskapazitäten sowie gegen Lieferketten für Substrate und Epitaxieausrüstung. SiC- und GaN-Anbieter wie Wolfspeed oder Infineon stehen dabei nicht nur für funktionierende Produkte, sondern auch für skalierte Fertigung und lange Qualifizierungszyklen in der Automobil- und Industrieelektronik. Gleichzeitig ist der Einstieg über Kooperationen strategisch, weil sich Wafer- und Bauelement-Qualifikation selten in einem Schritt erledigt. NextGO Epi nennt Kooperationen mit Partnern wie Foxconn, Gallox Semiconductor, dem Ferdinand-Braun-Institut (FBH) sowie dem taiwanischen Forschungsinstitut ITRI. Genau hier entscheidet sich, ob neue Wafer in realen Referenzdesigns funktionieren und ob sich die Prozesskette reproduzierbar verankern lässt.
Aus Unternehmenssicht ist die Pre-Seed-Runde außerdem ein Signal für die europäische Industriepolitik, die im Zeichen des „Chips Act 2.0“ steht. Der politische Rahmen soll Abhängigkeiten von asiatischen und amerikanischen Halbleiterlieferanten reduzieren und eine europäische Wertschöpfungskette bei Schlüsseltechnologien stärken. NextGO Epi ordnet sich in diese Logik ein, indem das Startup seine Produktentwicklung beschleunigen, das Team erweitern und den internationalen Vertrieb ausbauen will. Für Entscheider bedeutet das: Wenn europäische Produzenten bei neuen Materialien schneller zwischen Pilotlinie und Serienfähigkeit wechseln können, sinkt das Risiko von Lieferunterbrechungen – und die Planbarkeit von Roadmaps. Gleichzeitig bleibt die Herausforderung, Zulassungen, Qualitätsmanagement und Produktionsdaten so zu führen, dass Kunden aus sicherheitskritischen Branchen die nötige Transparenz erhalten.
Regulatorisch und in Bezug auf Datenschutz verschiebt sich der Fokus bei Halbleiterlieferketten oft weniger auf personenbezogene Daten als auf Vertraulichkeit, IP-Schutz und Auditierbarkeit von Prozess- und Qualitätsinformationen. Moderne Fertigung erzeugt große Mengen an Messdaten: Wafer-Metrologie, Defektkarten, Prozessparameter und Testresultate müssen revisionssicher dokumentiert werden, damit Kunden Compliance- und Qualitätsanforderungen erfüllen können. Für NextGO Epi und seine Partner ist das besonders relevant, weil Epitaxiewafer in der Regel als „kritische Input“-Komponente in komplexere Fertigungs- und Montageprozesse eingehen. Entsprechend sollten Datenintegrität, Zugriffssteuerung und standardisierte Schnittstellen früh mitgedacht werden, gerade wenn internationale Vertriebskanäle entstehen. Das erhöht die Wahrscheinlichkeit, dass die Wafer nicht nur technisch funktionieren, sondern auch organisatorisch skalieren.
Für die nächsten 12 bis 24 Monate dürfte sich der Erfolg vor allem daran messen lassen, wie konsistent die Wafer-Ausbeute und die Qualitätsstreuung über Chargen hinweg ausfallen. Neben der reinen Herstellung ist die Industrialisierung von Epitaxie-Umfängen entscheidend: Prozessfenster müssen stabil sein, und Kunden brauchen verlässliche Spezifikationen für Design- und Zuverlässigkeitstests. Wenn NextGO Epi es schafft, die 4-Zoll-Fertigung in wiederholbarer Qualität zu etablieren, kann das die Validierungszyklen verkürzen und die Eintrittshürde in Produktionslinien senken. Unterm Strich entsteht damit eine weitere Option in einem Markt, der gerade zwischen Materialinnovation und Lieferkettenresilienz neu austariert wird.
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