LONDON (IT BOLTWISE) – Samsung und SK hynix treiben ihre NAND-Aufrüstung in China voran, während Investoren die Aktienkäufe beider Hersteller forcieren. Der Plan: In den Werken in Xi’an und Dalian sollen künftig deutlich mehr Schichten pro Chip gefertigt werden. Gleichzeitig bleibt unklar, welche Maschinen und Prozessschritte die US-Behörden im Detail genehmigt haben. Genau diese Lücke macht aus dem technischen Upgrade ein regulatorisches Risiko mit kurzfristiger Kursrelevanz.
Die Börse deutet die Nachricht so, als würde sich die Abhängigkeit von reinen Heimat-Standorten in den nächsten Jahren abschwächen: Samsung und SK hynix rüsten ihre NAND-Fabriken in China hoch, und Anleger greifen heute bei beiden Titeln zu. Konkret stieg die SK-hynix-Aktie in Korea um 6,21 % auf 1.299.000 Won, Samsung legte um 5,2 % auf 222.500 Won zu. Im Kern geht es um Fertigungstiefe und Skalierung über die „Schichtzahl“ (Layer) als technische Kennzahl hinaus: Mehr Schichten bedeuten, dass pro Speicherzelle mehr Dichte realisiert werden kann, was bei steigender Nachfrage nach leistungsfähigem Flash für Cloud- und Client-Anwendungen direkt mit der Konkurrenzfähigkeit zusammenhängt.
Technisch betrachtet zielt das Upgrade bei Samsung auf eine neue Generation des V-NAND-Stacks. Laut Insiderangaben, wie sie in Berichten zusammengefasst werden, sollen die chinesischen Werke künftig NAND-Flash mit mehr als 200 Schichten produzieren und damit stärker zu den Kapazitäten in Südkorea aufschließen. Für das Samsung-Werk in Xi’an steht dabei die Modernisierung auf die neunte V-NAND-Generation im Mittelpunkt: Unter dem internen Projektnamen „Monami“ soll die Fertigung von etwa 200 Schichten auf 286 Schichten umgestellt werden. Der Zeitrahmen ist klar: Bis Dezember 2027 soll die Produktion auf 40.000 Wafer pro Monat steigen. Samsung ordnet das als reine Aufrüstung ein, erweitert die Produktionskapazität nicht zusätzlich und verzichtet laut eigener Darstellung auf neue Fertigungsanlagen.
Bei SK hynix läuft die China-Strategie parallel, aber mit anderem Schwerpunkt. In Dalian, dem Standort der für die Solidigm firmierende Sparte als einzige Produktionsstätte dient, sollen statt der aktuell gefertigten Produkte mit 192 Schichten künftig 240 Schichten oder mehr entstehen. Drei Insiderangaben werden in Berichten dafür herangezogen, dass mindestens bis 240 Schichten möglich sein sollen; zugleich wird diskutiert, ob SK hynix für die Entwicklung von Chips mit mehr als 300 Schichten eine US-Genehmigung beantragen könnte, um eine spätere Fertigung in den USA überhaupt als Option vorzuhalten. Praktisch bedeutet das: Der Hebel liegt bei SK hynix weniger auf einem einzelnen „Sprung“ als auf einer gestaffelten Fähigkeit, von Generation zu Generation schneller dichte Chips zu liefern. Ein weiterer Punkt ist die Marktdynamik, denn die regionalen Vorbedingungen in China lassen sich nicht allein durch Technologiestandpunkte gewinnen.
Genau hier wirkt der chinesische Wettbewerbsdruck als Treiber. Yangtze Memory Technologies (YMTC) hat in den letzten Quartalen Marktanteile gewonnen: Omdia nennt für das zweite Quartal 2026 einen Anteil von 38,5 % am chinesischen NAND-Markt, nach 28 % im Gesamtjahr 2025. Im selben Vergleich rutschte Samsung von 36 % auf 33,5 %, SK hynix von 20 % auf 17 %. Technologisch holt YMTC ebenfalls auf: Fertigungsseitig arbeitet der Konzern überwiegend mit 160- und 232-Schichten-Produkten, produziert aber bereits kleine Mengen mit 294 Schichten und plant Chips mit mehr als 300 Schichten. Das hat zwei Konsequenzen für Samsung und SK hynix: Erstens verlieren sie die lokale Geschwindigkeitsschere, wenn die Schicht-Updates in China zu langsam folgen. Zweitens reicht es nicht, die eigene Technik im Heimatwerk „höher zu skalieren“, wenn die chinesischen Produkte im selben Marktsegment preis- und lieferseitig direkt vergleichbar sein müssen.
Das zweite, entscheidende Thema ist Washingtons Exportregime. Seit 2022 müssen beide Konzerne für bestimmte Chipanlagen jährlich eine Genehmigung einholen, um in China Maschinen wie Ätzanlagen installieren zu dürfen, die in den USA gefertigt wurden. Das zuständige Bureau of Industry and Security (BIS) hatte 2025 zwar den Weiterbetrieb bestehender Werke genehmigt, Kapazitätsausbau und technologische Aufrüstungen jedoch ausgeschlossen. Genau diese Unterscheidung macht die Lage so heikel: Samsung beschreibt das Projekt als Modernisierung ohne zusätzliche Kapazitätserweiterung, während eine technologische Aufrüstung aus Sicht der ursprünglichen BIS-Linie gerade das Spannungsfeld darstellt. Auf Fragen zum aktuellen Stand geht die Behörde in den vorliegenden Berichten nicht konkret ein; welche Lizenzen in dem konkreten Fall erteilt wurden, ließ sich damit für Beobachter nicht sauber verifizieren.
Für Anleger ist damit vor allem ein Detail relevant, das sich nicht in Waferzahlen „wegrechnen“ lässt. Ein belastbarer Gradmesser wird im Dezember 2026 erwartet: Dann soll in Xi’an die neue Fertigung zunächst mit 5.000 Wafern pro Monat anlaufen. Ob der Zeitplan eingehalten wird, hängt aber weniger an der Prozessentwicklung als an den Lizenzen für die tatsächlich verwendeten Anlagen und Prozessschritte. Für die Unternehmen bedeutet das: Die technische Roadmap muss regulatorische Realitäten „mitlaufen lassen“, sonst drohen Verzögerungen, die sich kurzfristig in Lieferfähigkeit und später in Kostenstrukturen niederschlagen könnten. Gleichzeitig zeigt der Fall, wie sehr sich der NAND-Markt gerade zwischen zwei Taktgebern bewegt – dem von Dichte und Skalierung und dem von Exportfreigaben – und warum eine China-Offensive ohne belastbare Klarheit über genehmigte Maschinen schnell zur Wette auf Interpretationen wird.
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