Leitverluste

LONDON (IT BOLTWISE) – Der CoolSiC MOSFET von Infineon nutzt Siliziumkarbid, um Schalt- und Leitverluste gegenüber klassischen Silizium-Transistoren zu reduzieren. Das wirkt sich in der Praxis besonders bei Hochspannungsanwendungen aus, etwa in Photovoltaik-Wechselrichtern, Industrieantrieben und EV-Ladeinfrastruktur. Für Entwickler wird damit das Thermomanagement einfacher planbar und die Systemeffizienz rückt in den Mittelpunkt der Auslegung. Entscheidend ist, […]