CoolSiC-MOSFET von Infineon: Warum Siliziumkarbid die Effizienz in der Leistungselektronik hebt
LONDON (IT BOLTWISE) – Der CoolSiC MOSFET von Infineon nutzt Siliziumkarbid, um Schalt- und Leitverluste gegenĂĽber klassischen Silizium-Transistoren zu reduzieren. Das wirkt sich in der Praxis besonders bei Hochspannungsanwendungen aus, etwa in Photovoltaik-Wechselrichtern, Industrieantrieben und EV-Ladeinfrastruktur. FĂĽr Entwickler wird damit das Thermomanagement einfacher planbar und die Systemeffizienz rĂĽckt in den Mittelpunkt der Auslegung. Entscheidend ist, […]
Sankens SIH30N60E: Effizienz-Boost für 600-V-Lasten in Auto-Ladegeräten
TOKIO / LONDON (IT BOLTWISE) – Der Sanken SIH30N60E bringt 600-Volt-Schaltleistung in ein kompaktes TO-3PFM-Gehäuse und zielt damit direkt auf effizientere Onboard-Ladegeräte. Entscheidend sind nicht nur die Nennwerte wie 30 A Sperrstrom bzw. typische Kennzahlen beim Einschaltverhalten, sondern auch das Zusammenspiel aus Schaltverlusten, Gate-Ladung und Robustheit gegen dv/dt- und Avalanche-Stress. FĂĽr Entwickler kann das bedeuten: […]
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