Win Semi GaAs-HBT-Foundry: Treiber fĂĽr 5G-Power-Amplifier im RF-Frontend
TAOYUAN / LONDON (IT BOLTWISE) – Win Semiconductors stärkt mit seinem GaAs-HBT-Foundry-Service einen Kernbaustein moderner 5G- und WLAN-Geräte: Leistungsverstärker fĂĽr das RF-Frontend. FĂĽr Chipdesigner bedeutet das mehr Designfreiheit bei gleichzeitig ausgelagerten Prozessschritten wie Epitaxie, Metallisierung und RF-Tests. Der Ansatz ist besonders relevant, weil Sub-6-GHz-5G, Mehrband-Nutzung und kompakte Bauformen hohe Anforderungen an Effizienz, Linearität und thermische […]
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