LONDON (IT BOLTWISE) – Infineon bringt mit dem EVAL?M5?IMZ120R?SIC ein 3-Phasen-Inverter-Evaluierungsboard für 1200-V-CoolSiC-MOSFETs auf den Tisch. Das Board ist laut M5-Plattform auf eine Busspannung von bis zu 800 V DC sowie Pulsströme bis 200 A ausgelegt. In der Praxis zielt es auf Verlustleistungs- und Schaltverhaltenstests bis in anspruchsvolle Antriebs- und industrielle Inverter-Szenarien. Für die Ansteuerung kommt ein XMC4800-Setup ins Spiel, das sowohl Double-Pulse als auch konstante PWM-Profile erlaubt.

Infineon EVAL?M5?IMZ120R?SIC: 3-Phasen-Inverter für 1200-V-CoolSiC-MOSFETs
Infineon EVAL?M5?IMZ120R?SIC: 3-Phasen-Inverter für 1200-V-CoolSiC-MOSFETs (Foto: IT BOLTWISE)
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Für Entwicklungsteams, die SiC-Leistungsschalter nicht nur im Datenblatt, sondern im Inverter-ähnlichen Betrieb verifizieren wollen, ist das EVAL?M5?IMZ120R?SIC von Infineon mehr als ein weiteres „Power-Board“. Das 3-Phasen-Inverter-Evaluierungsboard ist auf die Messung von 1200-V-CoolSiC-MOSFETs ausgelegt und deckt dabei eine Busspannung bis 800 V DC sowie Pulsströme bis 200 A ab. Damit rückt die Laborcharakterisierung in Richtung jener Spannungs- und Stromklassen, die in Antriebsinvertern und leistungsstarken industriellen Netzteilen typischerweise relevant sind – zumindest als praxisnaher Prüfrahmen.

Der Kern des Ansatzes liegt in der Kombination aus Plattformlogik und einem klar definierten Leistungsaufbau: Das EVAL?M5?IMZ120R?SIC gehört zur EVAL?PS?DP?MAIN?M5-Plattform, die als „Motherboard“ für verschiedene 600- bis 1200-V-Leistungshalbleiter-Varianten dient. Infineon positioniert die Plattform als Testumgebung, um CoolSiC-MOSFETs der 1200-V-Klasse in TO-247-Umgebung unter Bedingungen zu vermessen, die dem typischen Inverterbetrieb möglichst nahekommen. Technisch wichtig ist dabei auch der Gate-Treiber-Umfeldwechsel: Die Plattform nutzt integrierte EiceDRIVER-Gate-Treiber-ICs und bildet die Schnittstelle zwischen Steuerlogik und Leistungsteil über separate Tochterkarten ab.

Für die eigentliche Mess- und Testlogik kommt das XMC4800 Control Board als Steuerzentrale ins Spiel. Je nach Versuchsaufbau kann die Steuerschaltung entweder Doppelimpuls-Signale (mit variabler Totzeit) oder konstante PWM-Muster erzeugen. Genau diese Flexibilität entscheidet in der Praxis darüber, ob Entwickler Schaltverluste und dynamisches Verhalten im Zeitbereich gezielt zerlegen oder eher im Dauerbetrieb auf Verlustleistungskennlinien und thermische Stabilität schauen. Laut Plattformdokumentation ist der Busspannungs-Pfad auf maximal 800 V DC und der maximal zulässige Pulsstrom auf 200 A dimensioniert – diese Grenzen bilden die operationalen „Messkorridore“ für das Labor.

Auch die mechanische und thermische Auslegung ist nicht als Nebensache gedacht: Die Plattform integriert Kühlkörper, Heizelemente und einen NTC-Sensor, um Temperaturzustände gezielt einstellen und überwachen zu können. Für SiC-MOSFETs ist das ein zentraler Punkt, weil sich Schaltverhalten, dynamische Kennwerte und damit indirekt auch der Effizienzanteil bei unterschiedlichen Sperrschicht- und Gehäusetemperaturen messbar verschieben können. Mit dieser Architektur können Labore mehr als nur „schnell einmal schalten“: Sie bekommen einen Ansatz, um Schaltverläufe über den spezifizierten Betriebstemperaturbereich zu betrachten und thermische Pfade des Gesamtsystems besser abzustimmen.

Der Lieferumfang unterstreicht, dass das Board als testfähiges Zubehör gedacht ist, nicht als reine Referenzplatine: Neben dem Motherboard EVAL?PS?DP?MAIN?M5 gehören eine Gate-Treiber-Tochterkarte, mehrere CoolSiC-MOSFET-DUTs, ein Leistungsinduktor sowie Kühllösungen und Befestigungsclips zum Paket. Auf dieser Basis lassen sich sowohl typische Halbbrückentests als auch konsequentere Inverter-Topologie-Experimente aufbauen, wobei das Gate-„Isolation & Protection“-Thema in den Treiberstufen verankert ist. Für die Nutzer ist das vor allem deshalb relevant, weil die Trenn- und Schutzfunktionen die Messbarkeit auch bei hohen Sperrspannungen erleichtern und reproduzierbare Testbedingungen unterstützen.

Finanziell ordnet sich das EVAL?M5?IMZ120R?SIC eher im Segment professioneller Evaluierungs- und Testlabore ein. In Distributor-Daten ist ein Stückpreis von rund 66.770,77 indischen Rupien (INR) hinterlegt; bei einem Umrechnungswert von etwa 1 Euro zu 89 INR ergibt sich als Richtwert ungefähr 750 Euro pro Board (Stand: 12.08.2026). Das ist spürbar mehr als viele reine Gate-Treiber-Karten, und das passt zur inhaltlichen Differenz: Das Board integriert einen vollständigen 3-Phasen-Leistungsteil mit CoolSiC-MOSFETs, während andere Infineon-Evaluierungsboards eher einzelne Komponenten wie isolierte Gate-Treiber oder spezifische Starter- und Adapterkits in den Mittelpunkt stellen.

Im Vergleich zu Gate-Treiber-Fokus-Platinen wird damit eine klare Lücke adressiert: Wo beispielsweise ein EVAL-Board primär auf die Evaluation eines EiceDRIVER Compact in Halbbrückentopologie zielt, liefert das EVAL?M5?IMZ120R?SIC einen integrierten Leistungs- und Inverter-Charakterisierungsrahmen für 1200-V-CoolSiC-MOSFETs. Genau diese „Topologie-Nähe“ macht das Board für Teams attraktiv, die nicht nur Treiberparameter vergleichen, sondern auch Inverter-in-the-loop Effekte, Schaltverlustsummen und thermisch limitierende Pfade im Labor gegeneinander bewerten möchten. Für solche Entwicklungsabteilungen ist das Board damit ein Baustein der KI-unterstützten Engineering-Workflows, auch wenn es selbst keine KI-Funktion bereitstellt: Entscheidend ist die Messdatenqualität, die anschließend für Modellierung, Optimierung und Auslegungsentscheidungen genutzt werden kann.

Infineon adressiert das EVAL?M5?IMZ120R?SIC als Evaluierungsplattform im Bereich Leistungs-Evaluation für SiC-MOSFETs, und die zugehörige Zielgruppe sind vor allem Entwicklungs- und Testabteilungen in der industriellen Leistungselektronik. Wer dreiphasige Invertertopologien im Labor verifizieren, Schaltverluste bestimmen und thermische Auslegungsschritte für SiC-Leistungshalbleiter optimieren will, bekommt mit Bus- und Pulsgrenzen (bis 800 V DC und 200 A) sowie einer steuerseitig ausbaubaren Ansteuerung (XMC4800 für Double Pulse oder PWM) einen konkreten Prüfstandard. Damit wird das Board zum „messbaren Zwischenschritt“ zwischen reiner Bauteilcharakterisierung und der späteren Systemintegration – gerade dann, wenn man unterschiedliche CoolSiC-Varianten oder Treiber-Setups gegen dieselbe Testumgebung vergleichen möchte.


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