CoolSiC-MOSFET von Infineon: Warum Siliziumkarbid die Effizienz in der Leistungselektronik hebt
LONDON (IT BOLTWISE) – Der CoolSiC MOSFET von Infineon nutzt Siliziumkarbid, um Schalt- und Leitverluste gegenĂĽber klassischen Silizium-Transistoren zu reduzieren. Das wirkt sich in der Praxis besonders bei Hochspannungsanwendungen aus, etwa in Photovoltaik-Wechselrichtern, Industrieantrieben und EV-Ladeinfrastruktur. FĂĽr Entwickler wird damit das Thermomanagement einfacher planbar und die Systemeffizienz rĂĽckt in den Mittelpunkt der Auslegung. Entscheidend ist, […]
CoolMOS von Infineon: Superjunction-MOSFETs fĂĽr effiziente Hochspannungs-Netzteile
LONDON (IT BOLTWISE) – Infineon liefert mit CoolMOS eine MOSFET-Familie, die fĂĽr Hochspannungs-Schaltanwendungen in Netzteilen optimiert ist. Im Kern steht die Superjunction-Technologie, die den Durchlasswiderstand bei hohen Sperrspannungen senken soll. FĂĽr Entwickler zählen dabei nicht nur RDS(on), sondern auch Schaltzeiten und Ausgangsladung QG, weil daraus dynamische Verlusten im Hochfrequenzbetrieb entstehen. Der Artikel zeigt, wie man […]
Wolfspeed setzt auf Siliziumkarbid: WOLF adressiert den Wandel in der Leistungselektronik
MĂśNCHEN / LONDON (IT BOLTWISE) – Wolfspeed treibt seine Siliziumkarbid-Strategie mit neuen Kapazitäten fĂĽr Wafer und Leistungshalbleiter voran. Die StoĂźrichtung: höhere Effizienz und kompakte Stromversorgung fĂĽr Elektromobilität, Industrieantriebe und erneuerbare Energien. Gleichzeitig rĂĽckt die Ausbeute- und Qualitätsoptimierung der Wafer in den Fokus, weil sie direkt ĂĽber StĂĽckkosten und Margen entscheidet. FĂĽr den Markt bedeutet das: […]
Nixie-Rauchabsaugung im Retro-Look: 3D-gedrucktes Gehäuse mit ATMega-Steuerung
LONDON (IT BOLTWISE) – Eine Rauchabsaugung muss nicht wie Industrie-Zubehör aussehen: Eine Midcentury-angehauchte Nixie-Tube-Installation kombiniert 3D-gedrucktes Holz-PLA, eine selbst aufgebaute Elektronik und eine Anzeige fĂĽr LĂĽfter-RPM. Der Clou ist die Steuerung mit ATMega und MOSFETs, die den LĂĽfter an eine Zielgeschwindigkeit heranfĂĽhrt. Damit wird aus dem sonst rein funktionalen Labor-Tool ein halb Deko-Objekt, halb Sicherheitskomponente. […]
Globalwafers treibt 12-Zoll-SiC-Epitaxie fĂĽr Hochvolt-Leistungselektronik voran
TAIWAN / LONDON (IT BOLTWISE) – Globalwafers will mit 12-Zoll-SiC-Epitaxiewafern (ca. 300 mm) die Kosten pro Chip in der Leistungselektronik senken und so Serienanläufe fĂĽr Hochvolt-Anwendungen im Automotive und in der Industrie besser unterstĂĽtzen. Entscheidend ist dabei nicht nur der größere Waferdurchmesser, sondern auch die Kontrolle von Defekten wie Mikrorissen und Basalplane-Fehlern, die bei größeren […]
AIXTRON G10-Si: Neue CVD-Anlage fĂĽr epitaktische Siliziumschichten in der Power-Device-Fertigung
HERZOGENRATH / LONDON (IT BOLTWISE) – Die AIXTRON G10-Si ist als CVD-Produktionsanlage fĂĽr epitaktische Siliziumschichten in der Serienfertigung von Power-Devices positioniert. Der modulare Reaktor-Ansatz soll Kapazität schrittweise erweiterbar machen, ohne das Grunddesign neu zu planen. FĂĽr Betreiber rĂĽckt vor allem die Kombination aus präziser TemperaturfĂĽhrung, niedrigen Defektraten und vollautomatischem Wafer-Handling in den Fokus. Gleichzeitig wird […]
Qorvo UJ2705: Präzise Power-Regelung für Funk- und Industrieanlagen
LONDON (IT BOLTWISE) – Qorvo stellt mit dem UJ2705 einen integrierten Power-Management-Controller in den Fokus, der DC-DC-Wandler und Leistungsstufen in Kommunikations- und Industriesystemen koordiniert. Der Baustein adressiert stabile VersorgungsflĂĽsse mit programmierbaren Schutzschwellen, Soft-Start-Logik und Schutzfunktionen gegen Ăśberlast sowie Kurzschluss. FĂĽr Netzbetreiber und Anlagenbauer kann das vor allem dann relevant werden, wenn Funkstandorte modernisiert oder bei […]
STDES-VIENNA-DK von STMicroelectronics: kompakter SiC-PFC-Entwurf fĂĽr 480 Volt
GENF / LONDON (IT BOLTWISE) – STMicroelectronics bringt mit dem STDES-VIENNA-DK ein dreiphasiges PFC-Referenzdesign als Entwicklerkit auf die Werkbank. Das Kit zielt auf effiziente Vienna-Gleichrichtung und misst Schaltverhalten, Netzstrom und thermische Effekte direkt am Aufbau. Damit können Teams EMV- und Wirkungsgradkennzahlen frĂĽher validieren, statt sich ausschlieĂźlich auf Simulationen zu verlassen. Gerade bei Spannungen bis 480 […]
Skyworks Si829x: isolierter Sicherheits-Gate-Treiber fĂĽr eTrucks bis ASIL D
LONDON (IT BOLTWISE) – Skyworks bringt mit dem Si829x einen isolierten Sicherheits-Gate-Treiber fĂĽr Traktionsinverter in Elektro-Lkw und eTrucks in den Fokus. Das Bauteil zielt auf einen Einsatz bis ASIL D nach ISO 26262, inklusive redundanter Ăśberwachung und geschärfter Fehlerpfade. FĂĽr Entwickler verspricht die ProVCD-Schnittstelle weniger manuelles Feintuning, um Schaltflanken reproduzierbar zu gestalten. Damit rĂĽckt weniger […]
Infineon OptiMOS-6: 600- und 650-Volt-MOSFETs fĂĽr leisere PV-Wechselrichter
NEUBIBERG / LONDON (IT BOLTWISE) – Infineon rĂĽstet seine OptiMOS-6-Leistungshalbleiter fĂĽr PV-Wechselrichter mit 600- und 650-Volt-Varianten aus und setzt damit auf weniger Leit- und Schaltverluste. FĂĽr Entwickler bedeutet das vor allem bessere Effizienzwerte, niedrigere Verlustwärme und damit mehr Spielraum bei Gehäusevolumen sowie LĂĽfterkonzepten. Marktseitig zielt das Unternehmen auf OEMs und Systemanbieter, die ihre nächste Wechselrichtergeneration […]
Sankens SIH30N60E: Effizienz-Boost für 600-V-Lasten in Auto-Ladegeräten
TOKIO / LONDON (IT BOLTWISE) – Der Sanken SIH30N60E bringt 600-Volt-Schaltleistung in ein kompaktes TO-3PFM-Gehäuse und zielt damit direkt auf effizientere Onboard-Ladegeräte. Entscheidend sind nicht nur die Nennwerte wie 30 A Sperrstrom bzw. typische Kennzahlen beim Einschaltverhalten, sondern auch das Zusammenspiel aus Schaltverlusten, Gate-Ladung und Robustheit gegen dv/dt- und Avalanche-Stress. FĂĽr Entwickler kann das bedeuten: […]
Rohm BD9G500EFJ-LB: kompakter 80-V-nicht-synchroner DC-DC-Wandler bis 5 A
TOKIO / LONDON (IT BOLTWISE) – Rohm erweitert sein Portfolio fĂĽr Industrie-Stromversorgung um den BD9G500EFJ-LB: einen nicht-synchronen Step-down-DC-DC-Wandler mit bis zu 80 V Eingangsspannung und bis zu 5 A Ausgangsstrom. Die 2-MHz-Schaltfrequenz zielt auf kleinere Induktivitäten und damit kompaktere Leiterplatten bei zugleich robustem Schutz fĂĽr raue Umgebungen. Damit adressiert der Baustein vor allem 24-V- und […]
Infineon erklärt MOSFET-Leistungsbauteile: Funktion, Einsatzfelder, Markt
NEUBIBERG / LONDON (IT BOLTWISE) – Infineon rĂĽckt seine MOSFET-Leistungsbauelemente in den Mittelpunkt und zeigt, warum diese Bausteine in Netzteilen, Industrieantrieben und der Elektromobilität so zentral sind. Entscheidend sind dabei Parameter wie Durchlasswiderstand, Schaltverhalten und Verlustleistung, die direkt ĂĽber Effizienz, Wärmeentwicklung und Systemdesign entscheiden. FĂĽr Entwickler in Deutschland ist vor allem die verfĂĽgbare Portfolio-Breite sowie […]
Nubert Ambient Line 2026: Streaming-Vorstufe nuControl X-2 & Endstufe nuPower A-2
LONDON (IT BOLTWISE) – Nubert bringt zur High End Vienna 2026 eine neue Ambient-Line-Serie, die klassische HiFi-Ă„sthetik mit moderner Streaming- und Klangregie verbindet. Im Zentrum stehen die Streaming-Vorstufe nuControl X-2 mit DAC-UnterstĂĽtzung bis DSD512 sowie die Endstufe nuPower A-2 mit Class-AB-Topologie und diskreten MOSFETs. Dazu kĂĽndigt der Hersteller kompakte Varianten fĂĽr den Herbst 2026 an, […]
ASUS ROG Thor 3000W Titanium 3 Edition 20: 3.000-Watt-Netzteil fĂĽr Multi-GPU
TAIPEH / LONDON (IT BOLTWISE) – ASUS hat zur Computex ein neues Ultra-High-End-Netzteil vorgestellt, das mit 3.000 Watt auch sehr groĂźe Multi-GPU-Setups versorgen soll. Im Mittelpunkt steht das ROG Thor 3000W Titanium 3 Edition 20, das laut Hersteller bis zu vier Grafikkarten der RTX-5090-Klasse unterstĂĽtzen kann. Auffällig ist dabei ein abnehmbares magnetisches OLED-Display, das sich […]
Infineon: Rücksetzer um 4,3 Prozent nach Rally – Chancen durch 2300-Volt-CoolSiC
FRANKFURT AM MAIN / LONDON (IT BOLTWISE) – Nach einer starken Kursrally setzt bei Infineon eine spĂĽrbare Korrektur ein: Die Aktie fällt um 4,3 Prozent auf 64,74 Euro. Gleichzeitig bleibt die Fundamentallogik fĂĽr Leistungselektronik und Siliziumkarbid erhalten, während das Makroumfeld mit höheren Renditen fĂĽr Gegenwind sorgt. Welche technischen Signale Anleger kurzfristig verunsichern und welche operativen […]
Infineon MOSFET: Leistungselektronik fĂĽr E-Autos, Energie und Industrie
MĂśNCHEN / LONDON (IT BOLTWISE) – Infineon liefert MOSFETs, die in Ladegeräten, Wechselrichtern und Antriebsumrichtern den Energiefluss präzise schalten. Damit sinken Verluste, weniger Wärme muss abgefĂĽhrt werden und Systeme erreichen höhere Effizienz im Dauerbetrieb. Der Artikel ordnet ein, warum diese Leistungselektronik in SĂĽdamerika aktuell besonders nachgefragt ist, und wie sich das gegenĂĽber alternativen Herstellern in […]
Infineons MOSFET-Chips: Treiber des E-Auto-Booms in Europa
MĂśNCHEN / LONDON (IT BOLTWISE) – Infineon Technologies spielt eine entscheidende Rolle im Aufschwung der Elektromobilität und erneuerbaren Energien in Europa. Die innovativen MOSFET-Chips des Unternehmens sind SchlĂĽsselkomponenten, die die Effizienz von Elektrofahrzeugen steigern und die Energiekosten senken. Diese Entwicklungen sind besonders relevant fĂĽr Deutschland, Ă–sterreich und die Schweiz, wo der Bedarf an nachhaltigen Technologien […]
Infineon treibt Effizienz von E-Autos mit MOSFET-Technologie voran
MĂśNCHEN / LONDON (IT BOLTWISE) – Infineon Technologies AG setzt mit seiner MOSFET-Technologie neue MaĂźstäbe in der Effizienz von Elektrofahrzeugen. Diese Chips optimieren den Stromfluss und reduzieren Energieverluste erheblich, was zu einer gesteigerten Reichweite und niedrigeren Produktionskosten fĂĽhrt. Angesichts der steigenden Nachfrage nach E-Autos und strengerer CO2-Vorgaben in Europa positioniert sich Infineon als fĂĽhrender Anbieter […]
Infineons CoolSiC MOSFET: Effizienzsteigerung für die E-Mobilität
MĂśNCHEN / LONDON (IT BOLTWISE) – Infineon Technologies hat mit der EinfĂĽhrung des CoolSiC MOSFET einen bedeutenden Fortschritt in der Halbleitertechnologie erzielt. Diese Innovation verspricht eine erhebliche Steigerung der Effizienz und Zuverlässigkeit in der E-Mobilität und bei erneuerbaren Energien. Durch die Kombination von Siliziumkarbid mit optimierter KĂĽhlung setzt Infineon neue MaĂźstäbe in der Leistungsdichte und […]
Infineons Power-MOSFETs: SchlĂĽsseltechnologie fĂĽr die Energiewende
MĂśNCHEN / LONDON (IT BOLTWISE) – Infineon Technologies setzt mit seinen Power-MOSFETs neue MaĂźstäbe in der Energieeffizienz. Diese Transistoren sind entscheidend fĂĽr Anwendungen in Elektrofahrzeugen und Industrieanlagen. Die steigende Nachfrage nach Halbleitern in Megatrends wie E-Mobilität und Industrie 4.0 bietet Anlegern in der DACH-Region interessante Wachstumschancen. Infineon Technologies hat sich mit seinen Power-MOSFETs als fĂĽhrender […]
Infineons MOSFETs treiben die Energiewende voran
MĂśNCHEN / LONDON (IT BOLTWISE) – Infineon Technologies setzt mit seinen MOSFET-Produkten neue MaĂźstäbe in der Leistungselektronik. Diese Transistoren sind entscheidend fĂĽr die Effizienzsteigerung in Elektrofahrzeugen und erneuerbaren Energien. Durch kontinuierliche Optimierungen wird die Energiedichte um 15% erhöht, was die Marktposition von Infineon stärkt. Infineon Technologies hat sich mit seinen MOSFET-Produkten als fĂĽhrender Anbieter im […]
ROHM erweitert MOSFET-Angebot fĂĽr KI-Server mit breitem SOA
KYOTO / LONDON (IT BOLTWISE) – ROHM Co., Ltd. hat einen neuen 100-V-Leistungs-MOSFET entwickelt, der speziell fĂĽr KI-Server mit 48-V-Stromversorgungen optimiert ist. Der RS7P200BM bietet eine branchenfĂĽhrende Leistung im sicheren Betriebsbereich (SOA) und ist ideal fĂĽr Hot-Swap-Schaltungen geeignet. Die rasante Entwicklung der KĂĽnstlichen Intelligenz hat die Anforderungen an Servertechnologien erheblich gesteigert. Insbesondere die Nachfrage nach […]
Die Renaissance des Siliziumgesteuerten Gleichrichters in der Elektronik
LONDON (IT BOLTWISE) – Der Siliziumgesteuerte Gleichrichter (SCR) erlebt eine Renaissance in der Elektronikbranche. UrsprĂĽnglich in den 1950er Jahren entwickelt, war er in den 1970er Jahren weit verbreitet. Heute wird er oft durch TRIACs und MOSFETs ersetzt, bleibt aber in bestimmten Anwendungen relevant. Der Siliziumgesteuerte Gleichrichter (SCR) ist ein faszinierendes Relikt aus der Vergangenheit der […]
#Sophos
#AmazonPrime
#Bestseller
