Infineons CoolSiC MOSFET: Effizienzsteigerung für die E-Mobilität
MĂśNCHEN / LONDON (IT BOLTWISE) – Infineon Technologies hat mit der EinfĂĽhrung des CoolSiC MOSFET einen bedeutenden Fortschritt in der Halbleitertechnologie erzielt. Diese Innovation verspricht eine erhebliche Steigerung der Effizienz und Zuverlässigkeit in der E-Mobilität und bei erneuerbaren Energien. Durch die Kombination von Siliziumkarbid mit optimierter KĂĽhlung setzt Infineon neue MaĂźstäbe in der Leistungsdichte und […]
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