SEOUL / LONDON (IT BOLTWISE) – SK hynix hat die Massenproduktion seines 321-Layer QLC NAND-Flash gestartet, ein bedeutender Fortschritt in der Speichertechnologie. Mit über 300 Schichten setzt das Unternehmen neue Maßstäbe in der NAND-Dichte. Die Markteinführung ist für die erste Jahreshälfte des kommenden Jahres geplant, nachdem die globale Kundenvalidierung abgeschlossen ist.

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SK hynix hat einen bedeutenden Meilenstein in der Speichertechnologie erreicht, indem es die Massenproduktion seines 321-Layer QLC NAND-Flash-Produkts gestartet hat. Diese Entwicklung markiert das erste Mal weltweit, dass mehr als 300 Schichten in der QLC-Technologie umgesetzt wurden, was einen neuen Standard in der NAND-Dichte setzt. Die Markteinführung ist für die erste Jahreshälfte des kommenden Jahres geplant, nachdem die globale Kundenvalidierung abgeschlossen wurde.

Um die Kostenwettbewerbsfähigkeit des neuen Produkts zu maximieren, hat SK hynix ein 2Tb-Bauteil entwickelt, das die Kapazität im Vergleich zu bisherigen Lösungen verdoppelt. Eine der Herausforderungen bei NAND-Speichern mit großer Kapazität ist die Vermeidung von Leistungseinbußen. SK hynix hat dies durch die Erhöhung der Anzahl der Planes, unabhängige Betriebseinheiten innerhalb eines Chips, von 4 auf 6 gelöst. Diese Maßnahme ermöglicht eine verbesserte Parallelverarbeitung und steigert die gleichzeitige Leseleistung deutlich.

Die technischen Verbesserungen des 321-Layer QLC NAND sind bemerkenswert. Die Datenübertragungsgeschwindigkeit hat sich verdoppelt, die Schreibgeschwindigkeit wurde um bis zu 56 % verbessert und die Leseleistung um 18 %. Darüber hinaus konnte die Schreibleistungseffizienz um mehr als 23 % gesteigert werden. Diese Verbesserungen stärken die Wettbewerbsfähigkeit in KI-Rechenzentren, in denen niedriger Stromverbrauch entscheidend ist.

SK hynix plant, die 321-Layer NAND zunächst in PC-SSDs einzusetzen, bevor die Anwendung auf Enterprise-SSDs für Rechenzentren sowie auf UFS für Smartphones ausgeweitet wird. Durch die Nutzung der firmeneigenen 32DP-Technologie, die das gleichzeitige Stapeln von 32 NAND-Dies in einem einzigen Gehäuse ermöglicht, strebt SK hynix an, mit einer doppelt so hohen Integrationsdichte in den Markt für ultra-hochkapazitive eSSDs für KI-Server einzutreten.




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SK hynix setzt neuen Maßstab mit 321-Layer QLC NAND
SK hynix setzt neuen Maßstab mit 321-Layer QLC NAND (Foto: DALL-E, IT BOLTWISE)



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