LONDON (IT BOLTWISE) – Der DRAM-ETF von Roundhill verzeichnete einen Rückgang von 5 %, nachdem er in den letzten sechs Wochen eine Verdopplung seines Wertes erlebt hatte. Diese Entwicklung wird als klassisches Gewinnmitnahmeverhalten nach einem parabolischen Anstieg interpretiert. Trotz des Rückgangs bleibt der ETF eine der erfolgreichsten thematischen Neueinführungen des Jahres.
Der Roundhill Memory ETF (DRAM) hat am Dienstag einen Rückgang von 5 % verzeichnet, was auf Gewinnmitnahmen nach einer Verdopplung des Wertes in sechs Wochen zurückzuführen ist. Der ETF, der sich auf Speicherchip-Hersteller spezialisiert hat, profitiert von der anhaltenden Knappheit an DRAM- und NAND-Speichern, die durch den Ausbau der KI-Infrastruktur verstärkt wird. Die drei größten Positionen des Fonds, Samsung, SK Hynix und Micron Technology, machen 73 % der Vermögenswerte aus.
Der Rückgang des DRAM-ETFs wird als klassisches Gewinnmitnahmeverhalten nach einem parabolischen Anstieg interpretiert. Trotz des Rückgangs bleibt der ETF eine der erfolgreichsten thematischen Neueinführungen des Jahres. Die zugrunde liegende These der KI-Speicher bleibt intakt, und der ETF verstärkt beide Seiten eines heißen Handels.
Micron Technology, die größte US-gelistete Beteiligung des ETFs, verzeichnete einen Rückgang von 3 % im frühen Handel, bleibt jedoch im Jahresvergleich um 170 % und im letzten Jahr um 733 % im Plus. SanDisk und Western Digital, zwei weitere bedeutende Akteure im Speicherbereich, erlebten ebenfalls Kursrückgänge, nachdem sie beeindruckende Jahresgewinne verzeichnet hatten.
Die strukturelle Geschichte des Speichermarktes hat sich in einer einzigen Verkaufssitzung nicht geändert. Engpässe bei Hochgeschwindigkeitsspeichern, Investitionen von Hyperscalern und disziplinierte NAND-Kapazitätserweiterungen bleiben bestehen. Thematic ETFs wie DRAM neigen dazu, sowohl Rallyes als auch Korrekturen in ihren zugrunde liegenden Körben zu verstärken, was das aktuelle Marktgeschehen widerspiegelt.
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