GaN-basierte Elektronenstrahltechnologie revolutioniert die Halbleiterinspektion
TOKIO / LONDON (IT BOLTWISE) – Eine neue GaN-basierte Elektronenstrahltechnologie verspricht, die Halbleiterinspektion und -metrologie grundlegend zu verändern. Diese Innovation, die aus einer Zusammenarbeit zwischen der Nagoya University und Photoelectron Soul Inc. hervorgegangen ist, könnte die Präzision und Effizienz in der Halbleiterfertigung erheblich steigern. Die jüngsten Fortschritte in der GaN-basierten Elektronenstrahltechnologie markieren einen bedeutenden Meilenstein […]
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