NAGOYA / LONDON (IT BOLTWISE) – Eine bahnbrechende Entwicklung in der Halbleiterfertigung steht bevor: Die GaN-basierte E-Beam-Technologie von Photo electron Soul Inc. wird bei KIOXIA Iwate Corporation getestet. Diese Innovation verspricht, die Inspektion und Metrologie in der Halbleiterproduktion erheblich zu verbessern und die Ausbeute zu steigern.
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Die Halbleiterindustrie steht vor einem bedeutenden Wandel, da die GaN-basierte E-Beam-Technologie von Photo electron Soul Inc. (PeS) in Zusammenarbeit mit der Amano-Honda-Labor an der Universität Nagoya entwickelt wurde. Diese Technologie wird von KIOXIA Iwate Corporation getestet, um ihre Wirksamkeit in der Produktion zu evaluieren. Die GaN-Photokathoden, die im Zentrum dieser Innovation stehen, bieten eine zwanzigfache Verbesserung der Haltbarkeit im Vergleich zu herkömmlichen Technologien und eröffnen neue Möglichkeiten in der Inspektion und Metrologie.
Die Bedeutung dieser Entwicklung liegt in ihrer Fähigkeit, die Herausforderungen der Halbleiterfertigung zu überwinden, insbesondere bei der Inspektion von nanoskaligen Transistoren und hochgradig strukturierten Merkmalen. Die Digital Selective e-Beaming (DSeB)-Technik ermöglicht es, spezifische Bereiche innerhalb von Scanning-Elektronenmikroskop-Bildern gezielt zu bestrahlen, was eine präzise Fehlererkennung und strukturelle Analyse ermöglicht. Diese nicht-kontaktierende Methode der elektrischen Inspektion war bisher mit herkömmlichen Technologien nicht erreichbar.
Der Einsatz von GaN-Photokathoden in der Halbleiterfertigung könnte die Ausbeute erheblich verbessern, indem sie die Fehlererkennung und Ursachenanalyse optimiert. Dies ist ein entscheidender Schritt in Richtung einer effizienteren und zuverlässigeren Produktion von Halbleitergeräten. Die Zusammenarbeit zwischen einer Universitätsausgründung und einem großen Unternehmen wie KIOXIA zeigt, wie akademische Innovationen in die industrielle Praxis umgesetzt werden können.
Die Zukunft der Halbleiterfertigung könnte durch diese Technologie maßgeblich beeinflusst werden. Während die Miniaturisierung und 3D-Integration von Geräten bereits gut etabliert sind, bietet die GaN-basierte E-Beam-Technologie eine Lösung für die kritischen Einschränkungen der Inspektions- und Metrologietechnologien. Die detaillierte Bewertung dieser Technologie in den Produktionslinien von KIOXIA wird zeigen, wie sie die Produktionsprozesse revolutionieren kann, indem sie die Ausbeute verbessert und die Fehleranalyse verfeinert.
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