KYOTO, Japan / LONDON (IT BOLTWISE) – ROHM stellt 650‑V‑IGBTs der vierten Generation für elektrische Kompressoren, Hochvolt-Heizungen und Wechselrichteranwendungen vor. Die Bauteile sollen mit VCE(sat) von 1,55 V branchenweit niedrige Durchlassverluste erreichen und gleichzeitig eine hohe Kurzschlussfestigkeit liefern. Laut Hersteller kombinieren die neuen IGBTs einen neu gestalteten Bauteilaufbau mit Fertigungs- und Randanschlussänderungen, um Leit- und Schaltverluste zu senken. Besonders für Heiz- und Inverterkreise nennt ROHM eine Kurzschlussstandzeit von 7 Mikrosekunden bei Tj = 25 °C als Zielgröße.
Die Elektronik in Hybrid- und Elektrofahrzeugen wird zunehmend unter Spannung gesetzt – nicht nur im Sinne höherer Zwischenkreisspannungen, sondern auch bei der Frage, wie stark Leistungsbauteile kurzzeitige Fehler überstehen müssen. Genau an diesem Punkt setzt ROHM an: Das Unternehmen bringt 650‑V‑IGBTs der vierten Generation heraus, die für elektrische Kompressoren und Hochvolt-Heizungen im Fahrzeugumfeld ebenso gedacht sind wie für Wechselrichterkreise in Industrieanlagen. Damit adressiert ROHM eine typische Doppelanforderung in der Leistungselektronik: möglichst geringe Verluste im Normalbetrieb und zugleich ausreichend Robustheit, um einen Überstrom-Lockout erst nach der Detektion und Abschaltung durch das Schutzkonzept abzufangen.
Technisch beschreibt ROHM den Kernansatz als Kombination aus verlustarmen Eigenschaften und hoher Kurzschlussfestigkeit. Im Datenblatt-Kontext bedeutet das konkret: Für die 650‑V-Klasse nennt der Hersteller VCE(sat) = 1,55 V als Zielwert, verbunden mit einer branchenweit niedrigen Durchlassverlustkennlinie. Gleichzeitig spielt die Kurzschlussstandzeit eine zentrale Rolle, weil Wechselrichter- und Heizkreise eine Zeit überbrücken müssen, in der eine Überstromsituation erkannt und unterbrochen wird. ROHM gibt dafür eine Kurzschlussstandzeit von 7 Mikrosekunden bei Tj = 25 °C an – ein Wert, der in der Systemdimensionierung Einfluss darauf haben kann, wie konservativ Schutzschaltungen und Auslegung der Leistungsstufe gestaltet werden.
Dass solche Verbesserungen nicht nur „aus dem Prozess heraus“ kommen, macht ROHM über die Entwicklungshebel deutlich: Das Unternehmen nennt eine Neugestaltung der Bauelementstruktur, des Herstellungsprozesses sowie der Randanschlussstruktur. Ziel ist, die Stromdichte zu erhöhen und gleichzeitig sowohl Leit- als auch Schaltverluste zu reduzieren. In der Praxis ist das ein klassischer Konflikt in der IGBT-Optimierung: Wer auf niedrigere Durchlassverluste zielt, landet sonst häufig bei geringerer thermischer oder elektrischer Fehlerrobustheit. ROHM versucht laut Beschreibung, diesen Trade-off zu entschärfen, indem die Struktur so angepasst wird, dass Effizienz und Kurzschlussfähigkeit zusammensteigen – ohne die höhere Spannungsanforderung der 650‑V-Klasse zu verfehlen.
Auch der Markttrend liefert den Kontext für diese Positionierung. ROHM stellt SiC zwar als zunehmend verbreitet in Hochleistungsanwendungen in den Raum, betont aber gleichzeitig die Rolle von 650‑V‑IGBTs in zahlreichen Anwendungen mit vergleichsweise geringerer Leistungsaufnahme, etwa bei Hilfssystemen. Dazu zählt das Unternehmen ausdrücklich elektrische Kompressoren, Hochspannungsheizungen sowie industrielle Stromumrichteranwendungen wie Motoren- und Kompressorsteuerungen. Gerade in solchen Umfeldern ist der Effizienzdruck hoch: Hersteller von Fahrzeugkomponenten und Maschinenentwickler brauchen kompaktere Ausführungen, größere Energieeinsparungen und gleichzeitig Bauteile, die sich in die bestehenden Schutz- und Zuverlässigkeitsstrategien sauber einfügen. Für die Automobilindustrie verweist ROHM zudem auf die Einhaltung des Zuverlässigkeitsstandards AEC‑Q101.
Zur Produktfamilie nennt ROHM mehrere Varianten, die auf unterschiedliche Montage- und Packaging-Bedürfnisse zielen. Das Portfolio umfasst 12 Produkte im TO‑247N-Gehäuse in den Serien „RGAxxTS65HR“ bzw. „RGAxxTS65EHR“ sowie 10 Bare-Wafer-Produkte der Serie „SG83xxWN“. Zusätzlich plant ROHM 12 weitere Produkte im TO‑247‑4L-Gehäuse mit den Serien „RGAxxTR65HR“ und „RGAxxTR65EHR“. Für Entwickler ist das vor allem deshalb relevant, weil Packaging die thermische Kopplung, parasitäre Induktivitäten sowie das Verhalten bei schnellen Stromänderungen beeinflusst. Dass ROHM sowohl diskrete Gehäusevarianten als auch Bare-Wafer anbietet, passt damit zu unterschiedlichen Fertigungs- und Integrationsrouten – vom klassischen Discrete-Design bis hin zu kundenspezifischen Power-Stack-Ansätzen.
Für die nächste Ausbaustufe blickt ROHM ebenfalls konkret nach vorn: Das Unternehmen will das Sortiment in denselben Gehäusen weiter erweitern und dazu kompaktere IGBTs für die Oberflächenmontage entwickeln – etwa im TO‑263L-Gehäuse sowie in TSC-Gehäusen (Top-Side Cooling). Das ist mehr als nur ein Formfaktor-Wechsel. Oberflächenmontage und Top-Side-Kühlung können Entwicklungszyklen verkürzen, weil sich Layouts in bestimmten Baugruppen vereinfachen und thermische Pfade besser kontrollieren lassen. Unterm Strich zielt ROHM damit auf eine breitere Skalierung der 650‑V‑Leistungsstufe ab, um höhere Wirkungsgrade und eine Miniaturisierung in Automobil- und Industriegeräten zu unterstützen – besonders dort, wo weiterhin IGBTs im Systemvergleich zwischen Kosten, Verfügbarkeit und Schutzanforderungen die passende Wahl bleiben.
Wer die Meldung in Einkauf und Entwicklung einordnet, sollte zudem auf die Verbindung aus Kennwerten und Anwendungsprofil achten. VCE(sat) = 1,55 V als Verlustanker ist nur dann wirklich wertvoll, wenn die Kurzschlussfestigkeit im System nicht „erkauft“ wird. ROHM liefert dafür eine konkrete Zielgröße zur Kurzschlussstandzeit und begründet den Ansatz über strukturelle und prozessseitige Anpassungen. Damit wird die neue Generation vor allem für Anwendungen interessant, in denen Schutzzeiten eng mit der Dimensionierung der Leistungselektronik verknüpft sind – also für Wechselrichter- und Heizkreise, die im Betrieb nicht nur Effizienz, sondern auch robuste Fehlerreaktion liefern müssen.
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