NÜRNBERG / LONDON (IT BOLTWISE) – USI stellt auf der PCIM Europe 2026 eine Embedded-Packaging-Technologie für SiC-Leistungshalbleiter vor, die Chips in mehrlagige ABF-Substrate einbettet. Im Zentrum steht außerdem eine Single-Side Copper Exposed (SSC)-Modulgehäusetechnologie, die keramische Substratisolation und eine drahtbondfreie Architektur in einem industrienahen Layout vereinen soll. Ziel ist es, parasitäre Induktivität zu senken, Leitungswiderstände zu minimieren und die thermische Belastbarkeit für höhere Leistungsdichten zu erhöhen. Damit adressiert das Unternehmen vor allem 400V/800V-Inverter, modulare Leistungselektronik im Fahrzeugumfeld sowie neue Leistungsanforderungen in Rechenzentren und Robotik.

USI zeigt Embedded-Packaging für SiC-Chips auf der PCIM Europe 2026
USI zeigt Embedded-Packaging für SiC-Chips auf der PCIM Europe 2026 (Foto: IT BOLTWISE)
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Leistungselektronik rückt 2026 noch stärker ins Zentrum industrieller Elektrifizierung: Wo früher vor allem Bauteilkennzahlen zählten, wird zunehmend das Zusammenspiel aus Packaging, Thermik und parasitären Effekten entscheidend. Genau an dieser Schnittstelle setzt USI mit einer Embedded-Packaging-Technologie für SiC-Chips an, die das Unternehmen auf der PCIM Europe 2026 in Nürnberg demonstrieren will. Die Kernidee: SiC-Halbleiter sollen nicht nur auf ein Trägersubstrat montiert, sondern in mehrlagige ABF-Substrate eingebettet werden. Dadurch lassen sich das Design kompakter halten und elektrische Verlustpfade stärker kontrollieren, was für moderne Inverterarchitekturen besonders relevant ist.

Technisch beschreibt USI drei Bausteine, die zusammenwirken sollen. Erstens erfolgt das Chip-Embedding von SiC in mehrlagige ABF-Substrate, also in ein mehrschichtiges, harzbasiertes Laminat-Substratsystem. Zweitens wird die Single-Side Copper Exposed (SSC)-Modulgehäusetechnologie genannt, die auf einer exponierten Kupferstruktur auf einer Seite basiert. Diese Kombination soll laut Ankündigung sowohl die keramische Substratisolation integrieren als auch eine drahtbondfreie Architektur ermöglichen. Drittens wird das Gehäuse selbst als Teil der elektrischen Isolation adressiert, wodurch zusätzliche Isolationsstrukturen entfallen könnten.

Aus Packaging-Sicht ist der Anspruch nachvollziehbar: Parasitär induktive Pfade entstehen oft dort, wo Leitungswege, Bonding-Elemente und Geometrien nicht optimal abgestimmt sind. USI argumentiert, dass die neue Modulgehäusetechnologie die parasitäre Induktivität reduziert und zugleich einen minimalen Einschaltwiderstand sowie einen geringeren Leitungswiderstand ermöglicht. Gleichzeitig spielt Thermik im realen Betrieb eine dominierende Rolle, weil höhere Schaltfrequenzen und Leistungsdichten zu steigendem Wärmestress führen. Durch die Integration eines keramischen Substrats soll die elektrische Isolation stabil bleiben, während die drahtbondfreie Bauweise größere Chips innerhalb eines schlanken Gehäuses erlauben soll.

Damit zielt die Lösung auf die gleiche Richtung wie viele Wettbewerbsprogramme in der Leistungsindustrie: weg von reinem „Auf-Board-Montieren“ hin zu systemintegrierter Modulfertigung. Als Referenzebene lohnt der Blick auf etablierte Player, die im Packaging für Leistungshalbleiter besonders sichtbar sind, etwa ASE als großer Fertigungspartner im Umfeld von SiP- und Modullösungen oder Amkor, die stark in advanced packaging und reliability getrieben hat. Auch Chiphersteller wie Infineon und NVIDIA-orientierte Plattformanbieter (im weiteren Ökosystem der Leistungsperipherie) treiben über Systemdesigns den Bedarf nach effizienteren Modulen, weil sich Verluste direkt in Kühlaufwand, Lebensdauer und Gesamtbetriebskosten übersetzen. USIs Ansatz passt daher in einen breiteren Trend, bei dem Packaging zunehmend „Design-to-Mass-Production“ prägt.

Für den Markt ist vor allem die Kombination aus Effizienz und Produktionsnähe relevant. USI positioniert sich nicht nur als Technologieanbieter, sondern als EMS-Dienstleister mit One-Stop-Services „von der Entwicklung bis zur Serienfertigung“. Das ist deshalb ein Wettbewerbsvorteil, weil die Einführung neuer Packaging-Stacks in der Regel nicht nur Entwicklung, sondern auch Prozessfähigkeit, Qualitätsprüfung und robuste Lieferketten erfordert. In der Ankündigung wird deshalb auch ein Ausbau entlang typischer Plattformkomponenten betont: 400V/800V-Invertermodule, intelligente Batterie-Trenneinheiten (iBDU) sowie integrierte OBC-/DCDC-Lösungen. Experten in der Industrie bewerten solche „End-to-End“-Konzepte oft als entscheidenden Hebel, um Time-to-Market zu verkürzen.

Die Aussage von Karl Chen, „dass fortschrittliche Packaging-Technologien entscheidend an Bedeutung gewinnen“, ordnet USI konkret in neue Anwendungsfelder ein. Interessant ist dabei, wie das Unternehmen den Nutzen über den Automobilbereich hinauszieht: Neben Elektromobilität werden KI-Rechenzentren und humanoide Robotik genannt. Der Hintergrund: In Rechenzentren und bei Robotik werden zunehmend kompaktere Leistungseinheiten in engeren Gehäusen verbaut, während zugleich höhere Effizienzwerte gefordert sind, um Energieverbrauch und Kühlung zu begrenzen. Aus Sicht der Enterprise- und Industrieanwender reduziert ein Packaging-Stack, der parasitäre Effekte mindert und gleichzeitig die thermische Performance steigert, oft nicht nur Verluste, sondern vereinfacht auch die Systemauslegung.

Regulatorisch und sicherheitstechnisch bleibt das Thema Packaging zwar im Hintergrund, ist aber nicht „optional“. Im Fahrzeugumfeld und in Industrieanwendungen stehen neben elektrischer Sicherheit und thermischer Belastbarkeit auch Anforderungen an Materialkonformität, Rückverfolgbarkeit und langfristige Zuverlässigkeit im Vordergrund. Dazu zählen übliche Vorgaben wie RoHS-/REACH-nahe Materialrestriktionen, aber auch die Fähigkeit, Herstellungsprozesse so zu dokumentieren, dass Audit- und Qualitätssysteme im Betrieb funktionieren. In der Praxis bedeutet das: Neue Substrat- und Gehäusetechnologien müssen sich über Temperaturzyklen, Feuchteeinwirkung, mechanische Spannungen und Lebensdauerpfade beweisen. Gerade drahtbondfreie Architektur ist dabei oft ein Versprechen, das sich erst in der Feldqualifikation bewerten lässt.

Für die Zukunft deutet USIs Präsentationsfokus auf einen klaren nächsten Schritt hin: Packaging wird mehr und mehr zu einem differentiierenden Bestandteil von Produktplattformen. Wenn Embedded SiC in ABF-Substraten plus SSC-Modulgehäuse tatsächlich die beschriebenen Effekte—weniger Induktivität, minimalere Widerstände und bessere Thermik—in Serienprozessen stabil abbildet, könnte das die Schwelle senken, ab der 400V/800V-Designs kompakter und effizienter umgesetzt werden. Der wahrscheinliche Wettbewerbsvorteil läge dann weniger in der einzelnen Baugruppe, sondern in der Kombination aus Geometriestandards, Prozessreife und Prüfbarkeit. In den kommenden 12 bis 24 Monaten werden sich daher vor allem OEM- und Tier-1-Partner dafür interessieren, wie schnell Muster in echte Serienvalidierung übergehen und welche Zuverlässigkeitsdaten dazu veröffentlicht werden.


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