Infineon setzt auf 300-mm-GaN-Wafer, während TSMC sich zurückzieht

VILLACH / LONDON (IT BOLTWISE) – Infineon Technologies hat einen bedeutenden Schritt in der Halbleiterproduktion gemacht, indem es die erste 300-mm-Wafer-Produktion für Galliumnitrid-(GaN)-Halbleiter in Betrieb genommen hat. Dies geschieht zu einem Zeitpunkt, an dem TSMC, ein führender Akteur in der Halbleiterindustrie, seinen Rückzug aus der GaN-Produktion ankündigt.

Infineon Technologies hat kürzlich die Produktion von 300-mm-Wafern für Galliumnitrid-(GaN)-Halbleiter gestartet, was einen bedeutenden Fortschritt in der Halbleiterfertigung darstellt. Diese Entwicklung kommt zu einem Zeitpunkt, an dem TSMC, ein führender Hersteller in der Branche, seinen Rückzug aus der GaN-Produktion bekannt gibt. TSMC hat entschieden, dass die GaN-Fertigung nicht mehr zu seinem Geschäftsmodell passt, das sich auf High-End-Chips konzentriert. Stattdessen sollen Partnerunternehmen diese Lücke füllen.

GaN-Wafer, die üblicherweise aus mit GaN beschichteten Silizium-Wafern bestehen, bieten eine hohe Energieeffizienz und maximale Frequenzen, sind jedoch nicht für die Herstellung komplexer Chips wie CPUs und GPUs geeignet. TSMC hat bisher GaN-Produkte in seiner Fab 5 auf 200-mm- oder 150-mm-Wafern produziert. Diese Anlage wird nun umgewandelt, um möglicherweise Aufgaben im Bereich Advanced Packaging zu übernehmen, einem Bereich, der als Engpass im Unternehmen gilt.

Im Gegensatz dazu hat Infineon im letzten Jahr begonnen, seine bestehenden 300-mm-Wafer-Fertigungslinien für die GaN-Produktion umzurüsten. Die Verwendung von 300-mm-Wafern ist technisch fortschrittlicher und effizienter als die herkömmlichen 200-mm-Wafer, da der größere Durchmesser es ermöglicht, mehr Chips pro Wafer zu produzieren. Infineon hat angekündigt, dass die Produktion im Zeitplan liegt und erste Muster aus der Fabrik in Villach, Österreich, im vierten Quartal 2025 verfügbar sein werden.

Infineon sieht großes Potenzial in GaN-Leistungshalbleitern, die zunehmend in industriellen und automobilen Anwendungen eingesetzt werden. Zu den Zielanwendungen gehören auch Verbraucher-, Rechen- und Kommunikationsanwendungen wie Stromversorgungen für KI-Systeme, Solarwechselrichter, Ladegeräte und Adapter sowie Motorsteuerungssysteme. Das Unternehmen hat im letzten Jahr 40 neue GaN-Produkte angekündigt und plant, seine Marktposition weiter zu stärken.

Die Entscheidung von TSMC, sich aus der GaN-Produktion zurückzuziehen, könnte für Infineon von Vorteil sein, da es die Möglichkeit bietet, Marktanteile zu gewinnen und seine Kundenbasis zu erweitern. Experten sehen in der Umstellung auf 300-mm-Wafer einen wichtigen Schritt, um die Effizienz und Wettbewerbsfähigkeit in der Halbleiterproduktion zu erhöhen.

Die Entwicklungen in der GaN-Technologie und die strategischen Entscheidungen der großen Akteure wie Infineon und TSMC werden die Zukunft der Halbleiterindustrie maßgeblich beeinflussen. Während TSMC sich auf andere Bereiche konzentriert, setzt Infineon auf die Vorteile der GaN-Technologie, um seine Marktstellung zu festigen und neue Geschäftsmöglichkeiten zu erschließen.

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