TOKIO / LONDON (IT BOLTWISE) – Eine neue GaN-basierte e-Beam-Technologie, entwickelt von einem Startup der Nagoya Universität, wird von Kioxia auf ihre Effizienz bei der Halbleiterinspektion getestet. Diese Technologie verspricht, die Erkennung von Defekten in der Produktion erheblich zu verbessern und könnte Kioxia einen Wettbewerbsvorteil verschaffen.

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Die Entwicklung der GaN-basierten e-Beam-Inspektionstechnologie durch das Startup Photo electron Soul Inc. und das Amano-Honda-Labor der Nagoya Universität markiert einen bedeutenden Fortschritt in der Halbleiterindustrie. Diese Technologie wird derzeit von Kioxia Iwate Corporation auf ihre Fähigkeit getestet, die Produktionsausbeute durch verbesserte Defekterkennung und Ursachenanalyse zu steigern.

Die Herausforderung bei der Herstellung von 3D-Flash-Speichern liegt in der zunehmenden Komplexität der Zellstrukturen. Kioxia hat sich zum Ziel gesetzt, diese Herausforderungen durch fortschrittliche Inspektions- und Messtechniken zu meistern. Die GaN-basierte Technologie bietet hier einen innovativen Ansatz, indem sie Funktionen wie die kontaktlose elektrische Inspektion und die Profilerstellung in tiefen Bereichen von Hochaspektverhältnisstrukturen ermöglicht.

Besonders hervorzuheben sind die Technologien DSeB (Digital Selective e-Beaming) und YCeB (Yield Controlled e-Beaming), die eine selektive e-Beam-Bestrahlung und eine Echtzeitkontrolle der Strahlintensität ermöglichen. Dies verhindert Strahlfehlstellungen und verbessert die Inspektionsgenauigkeit erheblich. Laut Takayuki Suzuki, CEO von Photo electron Soul Inc., bietet diese Technologie einen einzigartigen Vorteil, da sie bisher von keinem anderen Anbieter kommerzialisiert wurde.

Die Evaluierung durch Kioxia könnte den Weg für eine breitere Anwendung dieser Technologie ebnen, insbesondere da die Konkurrenz in Korea und den USA ebenfalls an der Verbesserung ihrer Inspektions- und Messtechnologien arbeitet. Die Ergebnisse dieser Tests könnten Kioxia helfen, ihre Position auf dem Markt zu stärken und die Effizienz ihrer Produktionsprozesse weiter zu optimieren.

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GaN-basierte e-Beam-Technologie revolutioniert Halbleiterinspektion
GaN-basierte e-Beam-Technologie revolutioniert Halbleiterinspektion (Foto: DALL-E, IT BOLTWISE)



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